RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
62
周辺 -121% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.5
7.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.7
5.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
62
28
読み出し速度、GB/s
7.4
18.5
書き込み速度、GB/秒
5.9
15.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1612
3601
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAMの比較
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link