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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
相違点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
62
周辺 -121% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.2
7.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.2
5.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
62
28
読み出し速度、GB/s
7.4
18.2
書き込み速度、GB/秒
5.9
14.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1612
3300
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