RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
62
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
28
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3300
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link