RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
62
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
28
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3300
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link