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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
総合得点
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
33
周辺 15% 低遅延
考慮すべき理由
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
10.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.2
7.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
8500
周辺 3.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
33
読み出し速度、GB/s
10.9
16.7
書き込み速度、GB/秒
7.1
13.2
メモリ帯域幅、mbps
8500
25600
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1668
3075
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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