RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.1
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
3075
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link