RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1668
3075
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link