Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB

Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 33
    Wokół strony 15% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.7 left arrow 10.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    13.2 left arrow 7.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 8500
    Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    28 left arrow 33
  • Prędkość odczytu, GB/s
    10.9 left arrow 16.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.1 left arrow 13.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    8500 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1668 left arrow 3075
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania