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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

総合得点
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HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 31
    周辺 16% 低遅延
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB 考慮すべき理由
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 8.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.5 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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