RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB против HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Средняя оценка
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1836
2713
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB Сравнения RAM
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link