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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
総合得点
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
55
周辺 53% 低遅延
考慮すべき理由
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
14.4
7.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
55
読み出し速度、GB/s
12.3
12.3
書き込み速度、GB/秒
7.4
14.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2894
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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