Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

26 55

Por volta de 53% menor latência

Razões a considerar
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

14.4 7.4

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 10600

Por volta de 1.6 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1678 2894

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns