RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

26 55

Rund um 53% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

14.4 7.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 10600

Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1678 2894

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns