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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
総合得点
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
39
周辺 33% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.3
11.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.4
7.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
39
読み出し速度、GB/s
12.3
11.7
書き込み速度、GB/秒
7.4
7.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
10600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1678
1749
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