Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

26 39

Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

12.3 11.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

7.4 7.2

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1678 1749

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns