RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
77
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
42
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2181
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link