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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
17.8
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
65
周辺 -195% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.0
1,592.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
22
読み出し速度、GB/s
3,580.8
17.8
書き込み速度、GB/秒
1,592.0
13.0
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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