RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
65
Около -195% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3115
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link