RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
65
Около -195% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3115
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link