RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3359
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link