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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Inmos + 256MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Inmos + 256MB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

総合得点
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 11.5
    テスト平均値
Inmos + 256MB 考慮すべき理由
Inmos + 256MB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 65
    周辺 -117% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 1,592.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    16800 left arrow 5300
    周辺 3.17 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Inmos + 256MB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    3,580.8 left arrow 11.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,592.0 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 16800
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    572 left arrow 2318

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Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
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メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
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メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
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メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
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メモリRAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
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