RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Inmos + 256MB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Inmos + 256MB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Inmos + 256MB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Inmos + 256MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
65
Por volta de -117% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
16800
5300
Por volta de 3.17 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Inmos + 256MB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
9.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
16800
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2318
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Inmos + 256MB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link