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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Inmos + 256MB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Inmos + 256MB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Inmos + 256MB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Inmos + 256MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
65
Por volta de -117% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
16800
5300
Por volta de 3.17 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Inmos + 256MB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
9.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
16800
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2318
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Inmos + 256MB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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