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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston KTD3KX-MIB 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

総合得点
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Kingston KTD3KX-MIB 8GB

Kingston KTD3KX-MIB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 13
    テスト平均値
Kingston KTD3KX-MIB 8GB 考慮すべき理由
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 65
    周辺 -150% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.9 left arrow 1,592.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    3,580.8 left arrow 13.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,592.0 left arrow 6.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    572 left arrow 1931

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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
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メモリRAM
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
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Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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メモリRAM
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
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Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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メモリRAM
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