RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
65
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
1931
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link