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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
総合得点
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
15.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
65
周辺 -67% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.5
1,592.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
39
読み出し速度、GB/s
3,580.8
15.5
書き込み速度、GB/秒
1,592.0
11.5
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
572
2264
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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