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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
15.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
65
周辺 -132% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
9.8
1,592.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
28
読み出し速度、GB/s
3,580.8
15.3
書き込み速度、GB/秒
1,592.0
9.8
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
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