RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2658
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link