RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
総合得点
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
65
74
周辺 12% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
3
13.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
7.7
1,592.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
74
読み出し速度、GB/s
3,580.8
13.6
書き込み速度、GB/秒
1,592.0
7.7
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
572
1616
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAMの比較
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link