RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    65 left arrow 74
    Около 12% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 13.6
    Среднее значение в тестах
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    7.7 left arrow 1,592.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 5300
    Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    65 left arrow 74
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,580.8 left arrow 13.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,592.0 left arrow 7.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    572 left arrow 1616

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
модули RAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
модули RAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
модули RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-151.A00LF 2GB
Kingston 9905403-151.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
модули RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
модули RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
модули RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
модули RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
модули RAM