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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
総合得点
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
12.8
テスト平均値
考慮すべき理由
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
63
周辺 -62% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.6
1,650.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
4200
周辺 5.07 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
63
39
読み出し速度、GB/s
3,291.7
12.8
書き込み速度、GB/秒
1,650.1
11.6
メモリ帯域幅、mbps
4200
21300
Other
商品説明
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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