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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
12.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
63
Por volta de -62% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
1,650.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
4200
Por volta de 5.07 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
39
Velocidade de leitura, GB/s
3,291.7
12.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,650.1
11.6
Largura de banda de memória, mbps
4200
21300
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
502
2089
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB Comparações de RAM
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A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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