RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
63
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,650.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,291.7
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,650.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
502
2089
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link