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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
31
周辺 23% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13% 高帯域
考慮すべき理由
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
22.4
16
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.8
12.5
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
31
読み出し速度、GB/s
16.0
22.4
書き込み速度、GB/秒
12.5
16.8
メモリ帯域幅、mbps
19200
17000
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
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