RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
22.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4012
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link