RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
51
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3142
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link