RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
51
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3142
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Mushkin 991586 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link