Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点

Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 34

周辺 29% 低遅延

Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB

考慮すべき理由
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

16.6 16

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

14.4 12.5

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 19200

周辺 1.11 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

24 34
読み出し速度、GB/s

16.0 16.6
書き込み速度、GB/秒

12.5 14.4
メモリ帯域幅、mbps

19200 21300

Other

商品説明

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2925 3415

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Kingston 9965600-027.A01G 16GB

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Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB

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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

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Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB

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Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB

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