RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3415
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link