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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
29
周辺 17% 低遅延
考慮すべき理由
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.4
16
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.2
12.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
29
読み出し速度、GB/s
16.0
17.4
書き込み速度、GB/秒
12.5
14.2
メモリ帯域幅、mbps
19200
21300
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
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