RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3398
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link