RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3398
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link