RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3398
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link