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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
68
周辺 65% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
15
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
8.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
68
読み出し速度、GB/s
16.0
15.0
書き込み速度、GB/秒
12.5
8.8
メモリ帯域幅、mbps
19200
21300
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
ASint Technology SLA302G08-GGNNG 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
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