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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
30
周辺 20% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
22
16
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.8
12.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
30
読み出し速度、GB/s
16.0
22.0
書き込み速度、GB/秒
12.5
16.8
メモリ帯域幅、mbps
19200
21300
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2925
3830
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
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