RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
22.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3830
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/4GX 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link