Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 26

周辺 8% 低遅延

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

21.2 16

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

16.4 12.5

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 19200

周辺 1.11 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

24 26
読み出し速度、GB/s

16.0 21.2
書き込み速度、GB/秒

12.5 16.4
メモリ帯域幅、mbps

19200 21300

Other

商品説明

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2925 3755

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

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Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB

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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

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G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB

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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

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Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB

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