RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3755
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Corsair CM3X2G1600C9DHX 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link