RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
26
周辺 8% 低遅延
考慮すべき理由
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
19.1
16
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.9
12.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
26
読み出し速度、GB/s
16.0
19.1
書き込み速度、GB/秒
12.5
15.9
メモリ帯域幅、mbps
19200
21300
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2925
3773
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAMの比較
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB RAMの比較
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link