RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3773
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Elpida EBJ17RG4EAFD-DJ-F 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link