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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905712-048.A00G 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
30
周辺 20% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
14.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
8.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
30
読み出し速度、GB/s
16.0
14.3
書き込み速度、GB/秒
12.5
8.5
メモリ帯域幅、mbps
19200
21300
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2579
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
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