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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905744-076.A00G 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
47
周辺 49% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
11.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
8.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
47
読み出し速度、GB/s
16.0
11.5
書き込み速度、GB/秒
12.5
8.4
メモリ帯域幅、mbps
19200
21300
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
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