RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
47
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
47
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1943
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link