RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
47
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
47
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1943
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link