RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
30
周辺 20% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
15.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
10.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
30
読み出し速度、GB/s
16.0
15.9
書き込み速度、GB/秒
12.5
10.7
メモリ帯域幅、mbps
19200
21300
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2925
2846
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAMの比較
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link