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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 73
    周辺 67% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 15.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 9.1
    テスト平均値
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB 考慮すべき理由
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 73
  • 読み出し速度、GB/s
    16.0 left arrow 15.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.5 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2925 left arrow 1843

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