Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

24 73

Autour de 67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16 15.2

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.5 9.1

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 19200

Autour de 1.11 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2925 1843

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns